|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Високочастотний RF транзистор PTF080451E для модулів РЕБ
PTF080451E — це потужний високочастотний RF-транзистор у фланцевому корпусі, розроблений для застосування в радіочастотних підсилювачах, системах радіоелектронної боротьби (РЕБ), передавачах, а також ВЧ-модулях потужного класу. Завдяки повному золотому металізованому покриттю, транзистор забезпечує високу надійність та тривалий термін служби навіть у складних робочих умовах.
Основні характеристики:
- Тип: N-канальний MOSFET. Це тип MOSFET, де провідність відбувається через N-тип напівпровідниковий канал. Його перевагами є: висока швидкість перемикання частот, низьке споживання енергії, висока ефективність
- Діапазон частот: 869–960 МГц
- Тип транзистора: LDMOS, призначений для високочастотного аналогового підсилення
- Вихідна потужність: 45 Вт
- Коефіцієнт підсилення: близько 15 дБ
- Живлення: 28 В
- Корпус: фланцевий, з ефективним тепловідведенням — ідеально для монтажу на радіатори
- Низький КСХ та висока стабільність у широкому діапазоні частот
- Робоча температура: -40℃~+150℃
- Вбудований захист від електростатичних розрядів (ESD)
- Відмінна термостабільність