0
Додайте товари до кошика

Транзистор високочастотний BLP15M9S70 32V 12.6A 17.8dB 70W@915MHz-2Ghz, для модулів РЕБ

Артикул 27116
В наявності
Опис

Високочастотний RF транзистор BLP15M9S70 для підсилювачів ISM/GSM/LTE та модулів РЕБ (до 2 ГГц)

BLP15M9S70 — це потужний високочастотний транзистор, розроблений для використання в підсилювачах потужності в широкому діапазоні частот ISM, GSM, LTE та в системах радіелектронної боротьби (РЕБ) до 2 ГГц.

Основні характеристики:

  • Потужність: 70W при напрузі 32V; 65W при напрузі 28V
  • Напруга: 32V, для досягнення максимальної потужності та ефективності
  • Піковий імпульсний струм: 12.6А
  • Коефіцієнт підсилення сигналу: 17.8dB
  • Частотний діапазон: 915MHz – 2GHz
  • Тип корпусу: SOT1482-1 — компактний корпус для поверхневого монтажу (SMD)
  • Тип транзистора: LDMOS
  • Інтегрований двосторонній захист від ESD (електростатичного розряду)
  • Висока ефективність
  • Робоча температура: -40℃~+150℃
911 грн
Увійдіть на сайт щоб
додати товар в список бажань
Новий відгук або коментар
Увійти за допомогою
Оцініть товар
//перехід на українську версію сайту