|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Високочастотний RF транзистор BLP15M9S70 для підсилювачів ISM/GSM/LTE та модулів РЕБ (до 2 ГГц)
BLP15M9S70 — це потужний високочастотний транзистор, розроблений для використання в підсилювачах потужності в широкому діапазоні частот ISM, GSM, LTE та в системах радіелектронної боротьби (РЕБ) до 2 ГГц.
Основні характеристики:
- Потужність: 70W при напрузі 32V; 65W при напрузі 28V
- Напруга: 32V, для досягнення максимальної потужності та ефективності
- Піковий імпульсний струм: 12.6А
- Коефіцієнт підсилення сигналу: 17.8dB
- Частотний діапазон: 915MHz – 2GHz
- Тип корпусу: SOT1482-1 — компактний корпус для поверхневого монтажу (SMD)
- Тип транзистора: LDMOS
- Інтегрований двосторонній захист від ESD (електростатичного розряду)
- Висока ефективність
- Робоча температура: -40℃~+150℃