0
Добавьте товары в корзину

Транзистор высокочастотный BLP15M9S70 32V 12.6A 17.8dB 70W@915MHz-2Gh, для модулей РЭБ

Артикул 27116
В наличии
Описание

Высокочастотный RF транзистор BLP15M9S70 для усилителей ISM/GSM/LTE и модулей РЭБ (до 2 ГГц)

BLP15M9S70 – это мощный высокочастотный транзистор, разработанный для использования в усилителях мощности в широком диапазоне частот ISM, GSM, LTE и в системах радиоэлектронной борьбы (РЭБ) до 2 ГГц.

Основные характеристики:

  • Мощность: 70W при напряжении 32V;  65W при напряжении 28V​
  • Напряжение: 32V, для достижения максимальной мощности и эффективности
  • Пиковый импульсный ток: 12.6А
  • Коэффициент усиления сигнала: 17.8dB
  • Частотный диапазон: 915MHz – 2GHz
  • Тип корпуса: SOT1482-1 – компактный корпус для поверхностного монтажа (SMD)
  • Тип транзистора: LDMOS
  • Интегрированная двусторонняя защита от ESD (электростатического разряда)
  • Высокая эффективность
  • Рабочая температура: -40℃~+150℃
844 грн
Войдите на сайт чтобы
добавить товар в список желаний
Новый отзыв или комментарий
Войти с помощью
Оцените товар
//перехід на українську версію сайту