|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
Высокочастотный RF транзистор BLP15M9S70 для усилителей ISM/GSM/LTE и модулей РЭБ (до 2 ГГц)
BLP15M9S70 – это мощный высокочастотный транзистор, разработанный для использования в усилителях мощности в широком диапазоне частот ISM, GSM, LTE и в системах радиоэлектронной борьбы (РЭБ) до 2 ГГц.
Основные характеристики:
- Мощность: 70W при напряжении 32V; 65W при напряжении 28V
- Напряжение: 32V, для достижения максимальной мощности и эффективности
- Пиковый импульсный ток: 12.6А
- Коэффициент усиления сигнала: 17.8dB
- Частотный диапазон: 915MHz – 2GHz
- Тип корпуса: SOT1482-1 – компактный корпус для поверхностного монтажа (SMD)
- Тип транзистора: LDMOS
- Интегрированная двусторонняя защита от ESD (электростатического разряда)
- Высокая эффективность
- Рабочая температура: -40℃~+150℃