0
Додайте товари до кошика

Транзистор високочастотний M9060M MRF9060M MRF9060MR1 26V 450mA 18dB 60W до 1Ghz, для модулів РЕБ

Артикул 26716
В наявності
Опис

Високочастотний RF транзистор MRF9060M для модуля перешкод

M9060M, MRF9060M, MRF9060MR1 — це RF потужні MOSFET транзистори з N-каналом, які призначені для використання в радіочастотних системах. Ці модулі мають високу ефективність, забезпечують стабільне підсилення сигналу та знаходять широке застосування в телекомунікаціях, радіоелектроніці та інших високотехнологічних пристроях.

Характеристики:

  • Тип: N-канальний MOSFET. Це тип MOSFET, де провідність відбувається через N-тип напівпровідниковий канал. Для включення транзистора потрібно подати позитивну напругу на затвор. Його перевагами є: висока швидкість перемикання частот, низьке споживання енергії, висока ефективність
  • Тип транзистора: LDMOS
  • Максимальна вихідна потужність: 60W при 945MHz
  • Коефіцієнт підсилення сигналу: 18 dB
  • Напруга: 26V
  • Робочий діапазон частот: до 1 GHz
  • Струм: 450mA
  • Відмінна термічна стабільність
  • Вбудований захист від електростатичного розряду
  • Робоча температура: -40℃~+150℃
299 грн
Увійдіть на сайт щоб
додати товар в список бажань
Новий відгук або коментар
Увійти за допомогою
Оцініть товар
//перехід на українську версію сайту