|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
Високочастотний RF транзистор MRF9060M для модуля перешкод
M9060M, MRF9060M, MRF9060MR1 — це RF потужні MOSFET транзистори з N-каналом, які призначені для використання в радіочастотних системах. Ці модулі мають високу ефективність, забезпечують стабільне підсилення сигналу та знаходять широке застосування в телекомунікаціях, радіоелектроніці та інших високотехнологічних пристроях.
Характеристики:
- Тип: N-канальний MOSFET. Це тип MOSFET, де провідність відбувається через N-тип напівпровідниковий канал. Для включення транзистора потрібно подати позитивну напругу на затвор. Його перевагами є: висока швидкість перемикання частот, низьке споживання енергії, висока ефективність
- Тип транзистора: LDMOS
- Максимальна вихідна потужність: 60W при 945MHz
- Коефіцієнт підсилення сигналу: 18 dB
- Напруга: 26V
- Робочий діапазон частот: до 1 GHz
- Струм: 450mA
- Відмінна термічна стабільність
- Вбудований захист від електростатичного розряду
- Робоча температура: -40℃~+150℃