|
Количество
|
Стоимость
|
||
|
|
|||
Высокочастотный RF транзистор MRF9060M для модуля помех
M9060M, MRF9060M, MRF9060MR1 – это RF мощные MOSFET транзисторы с N-каналом, которые предназначены для использования в радиочастотных системах. Эти модули обладают высокой эффективностью, обеспечивают стабильное усиление сигнала и находят широкое применение в телекоммуникациях, радиоэлектронике и других высокотехнологичных устройствах.
Характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET. Это тип MOSFET, где проводимость происходит через N-тип полупроводникового канала. Для включения транзистора необходимо подать положительное напряжение на затвор. Его преимуществами являются: высокая скорость переключения частот, низкое потребление энергии, высокая эффективность
- Тип транзистора: LDMOS
- Максимальная выходная мощность: 60W при 945MHz
- Коэффициент усиления сигнала: 18 dB
- Напряжение: 26V
- Рабочий диапазон частот: до 1 GHz
- Ток: 450mA
- Отличная термическая стабильность
- Встроенная защита от электростатического разряда
- Рабочая температура: -40℃~+150℃